TSMC объявил о прорыве в создании 1-нанометровых чипов

Производитель полупроводников TSMC разработал материал для транзисторных контактных электродов, который позволит изготавливать чипы по 1-нанометровому технологическому процессу. В исследовании участвовали ученые из Национального Тайваньского университета и Массачусетского технологического института, пишет Verdict.

Инженеры выяснили, что использование полуметаллического висмута в качестве контактного электрода двумерного материала для замены кремния снижает сопротивление и увеличивает ток. Это позволит повысить энергоэффективность для полупроводников до максимально возможного уровня, считают они.

В настоящее время TSMC использует вольфрамовые межсоединения, которые имеют ряд ограничений и не позволяют уменьшить техпроцесс до 1 нм. Новый материал устранит этот недостаток, уверены ученые. Однако до сих пор его использовали в исследовательских образцах, и он не готов для массового производства.

Сейчас TSMC осваивает 5-нанометровый техпроцесс, а во втором полугодии 2022 года компания планирует начать изготовление чипов по нормам 3 нм.

Напомним, в начале мая 2021 года IBM анонсировал 2-нанометровый техпроцесс для производства чипов, который позволит увеличить производительность и энергоэффективность процессоров.

В апреле производитель суперкомпьютеров Cerebras представил процессор с 850 тысячами ядер, предназначенный для расчетов в области машинного обучения и искусственного интеллекта.

В конце марта компания ARM анонсировала девятое поколение процессоров с поддержкой ИИ.